Компания STMicroelectronics выпустила новые силовые высоковольтные МОП-транзисторы серии STPOWER MDmesh К6 изготовленные по технологии «Super Junction MOSFET»
С самого зарождения полупроводниковой силовой электроники по сей день технологии производства ее элементной базы направлены на повышение плотности энергии через элементы. Повышение плотности энергии подразумевает увеличение рабочих напряжений и токов через полупроводники при уменьшении габаритных размеров полупроводниковых компонентов.
Впервые по технологии «Super Junction MOSFET» силовые транзисторы начали изготавливать еще в начале 2000-х годов. Эту технологию впервые представила компания STMicroelectronics. Новая технология была нацелена на улучшение одного из ключевых характеристик транзистора - сопротивления «исток-сток», RDS(ON) во включённом состоянии. Чем меньше это сопротивление, тем меньше падает напряжение на его переходе, а это приводит к уменьшению рассеиваемой на транзисторе мощности.
Таким образом транзисторы, изготовленные по технологии «Super Junction MOSFET» позволяют пропускать через переход большие токи, но ввиду малого сопротивления перехода «исток-сток» не происходит сильного нагрева перехода. Обычно силовые транзисторы сравнивают по произведению лощади кристалла транзистора на сопротивление «исток-сток», RDS(ON)S.
Базовая структура транзистора технологии «Super Junction MOSFET» представлена на рисунке.
Основная идея технологии заключается в том, что исток разбит на отдельные области, связанные металлическими переходниками.
В новых МОП-транзисторах серии STPOWER MDmesh К6, выпущенных компанией STMicroelectronics улучшено сразу несколько ключевых параметров, которые позволили уменьшить потери мощности в кристалле.
Новые транзисторы особенно подходят для использования в высокоэффективных драйверах светодиодов, где используется обратноходовая топология построения преобразователей (системы освещения, газоразрядные лампы, а также адаптеры и блоки питания для плоских дисплеев).
Новые технологии, применяемые в транзисторах поколения K6, по сравнению с поколением MDmesh K5 позволили уменьшить сопротивление «исток-сток», RDS(ON) с 630 до 220 миллиОм.
Кроме того, серия K6 имеет пониженное пороговое напряжение по сравнению с предыдущим поколением MDmesh K5, что приводит к более низкому управляющему напряжению и, таким образом, снижает потери мощности и повышает эффективность.
Видеокурс "Черчение схем в программе sPlan 7"
Если Вы хотите научиться чертить электрические схемы, создавать рисунки и иллюстрации (например при оформлении курсовых, дипломных, при публикации на сайте и т.д.) быстро и профессионально, то у меня для Вас есть отличная новость!
Вы можете совершенно БЕСПЛАТНО получить полноценный курс по черчению схем и созданию рисунков в программе sPlan 7.0!
Бесплатно!
|
Видеокурс "Программирование микроконтроллеров для начинающих"
Если Вы хотите из новичка превратиться в профессиноала, стать высококлассным, конкурентноспособным и грамотным специалистом в области самого перспективного направления микроэлектроники, тогда изучите новый видокурс по микроконтроллерам!
Уверяю такого еще нет нигде!
В результате вы научитесь с нуля не тольно разрабатывать собственные устройства, но и сопрягать с ними различную переферию!
Добавить комментарий