Новости

MDmesh К6 - Новые высоковольтные МОП-транзисторы с малыми потерями мощности

0.0/5 оценка (0 голосов)
07.02.22

Компания STMicroelectronics выпустила новые силовые высоковольтные МОП-транзисторы серии STPOWER MDmesh К6 изготовленные по технологии «Super Junction MOSFET»

С самого зарождения полупроводниковой силовой электроники по сей день технологии производства ее элементной базы направлены на повышение плотности энергии через элементы. Повышение плотности энергии подразумевает увеличение рабочих напряжений и токов через полупроводники при уменьшении габаритных размеров полупроводниковых компонентов.

Впервые по технологии «Super Junction MOSFET» силовые транзисторы начали изготавливать еще в начале 2000-х годов. Эту технологию впервые представила компания STMicroelectronics. Новая технология была нацелена на улучшение одного из ключевых характеристик транзистора - сопротивления «исток-сток», RDS(ON) во включённом состоянии. Чем меньше это сопротивление, тем меньше падает напряжение на его переходе, а это приводит к уменьшению рассеиваемой на транзисторе мощности.

Таким образом транзисторы, изготовленные по технологии «Super Junction MOSFET» позволяют пропускать через переход большие токи, но ввиду малого сопротивления перехода «исток-сток» не происходит сильного нагрева перехода. Обычно силовые транзисторы сравнивают по произведению лощади кристалла транзистора на сопротивление «исток-сток», RDS(ON)S.

Базовая структура транзистора технологии «Super Junction MOSFET»  представлена на рисунке.

MOP

Основная идея технологии заключается в том, что исток разбит на отдельные области, связанные металлическими переходниками.

В новых МОП-транзисторах серии STPOWER MDmesh К6, выпущенных компанией STMicroelectronics улучшено сразу несколько ключевых параметров, которые позволили уменьшить потери мощности в кристалле. 

Новые транзисторы особенно подходят для использования в высокоэффективных драйверах светодиодов, где используется обратноходовая топология построения преобразователей (системы освещения, газоразрядные лампы, а также адаптеры и блоки питания для плоских дисплеев).

Новые технологии, применяемые в транзисторах поколения K6, по сравнению с поколением MDmesh K5 позволили уменьшить сопротивление «исток-сток», RDS(ON)  с 630 до 220 миллиОм.

K6

Кроме того, серия K6 имеет пониженное пороговое напряжение по сравнению с предыдущим поколением MDmesh K5, что приводит к более низкому управляющему напряжению и, таким образом, снижает потери мощности и повышает эффективность.

Основы электроники

Видеокурс "Черчение схем в программе sPlan 7"

Kurs-splan

Если Вы хотите научиться чертить электрические схемы, создавать рисунки и иллюстрации (например при оформлении курсовых, дипломных, при публикации на сайте и т.д.) быстро и профессионально, то у меня для Вас есть отличная новость!

 

Вы можете совершенно БЕСПЛАТНО получить полноценный курс по черчению схем и созданию рисунков в программе sPlan 7.0!

Бесплатно!

 

Видеокурс "Программирование микроконтроллеров для начинающих"

mk-avr

Если Вы хотите из новичка превратиться в профессиноала, стать высококлассным, конкурентноспособным и грамотным специалистом в области самого перспективного направления микроэлектроники, тогда изучите новый видокурс по микроконтроллерам!

Уверяю такого еще нет нигде!

В результате вы научитесь с нуля не тольно разрабатывать собственные устройства, но и сопрягать с ними различную переферию!

Подпишись на мой канал youtube!

СКАЧАЙ Комплекс уроков ЭЛЕКТРИЧЕСТВО

Комплекс уроков Электричество